Jonctions tunnel AlGaAsSb/AlGaInAs accordées et relaxées sur substrat GaAs pour les applications photovoltaïques

Résumé : Les Jonctions Tunnel (JT) sont des composants très importants pour les cellules solaires multi-jonction, puisqu'elles assurent la connexion électrique en série entre les différentes sous-cellules. Récemment, il a été fabriqué par EPVOM des JTs AlGaAs:C/GaAs:Te et AlGaAs:C/GaInP:Te atteignant des densités de courant pic J pic records de 10 kA/cm² sur substrat GaAs [1], en remplaçant le dopant N usuel Si par du Te et permettant ainsi d'obtenir les forts niveaux de dopages nécessaires pour augmenter la probabilité d'effet tunnel dans le composant. Nous avons travaillé sur une autre approche pour obtenir des JT de "hautes" performances, et ne nécessitant pas des dopages aussi forts : il s'agit de profiter des offsets de bandes de l'hétérojonction AlGaAsSb/AlGaInAs de type II pour augmenter la probabilité d'effet tunnel.
Document type :
Conference papers
Réunion plénière du GDR PULSE 2017 ( Processus Ultimes d'épitaxie de Semiconducteurs 2017), Oct 2017, Paris, France. 2017, 〈https://pulse2017.sciencesconf.org/〉
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https://hal.laas.fr/hal-01610933
Contributor : Guilhem Almuneau <>
Submitted on : Thursday, October 12, 2017 - 4:31:13 PM
Last modification on : Thursday, January 18, 2018 - 2:29:00 AM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01610933, version 1

Citation

Kevin Louarn, Yann Claveau, Alexandre Arnoult, Chantal Fontaine, Jonathan Colin, et al.. Jonctions tunnel AlGaAsSb/AlGaInAs accordées et relaxées sur substrat GaAs pour les applications photovoltaïques. Réunion plénière du GDR PULSE 2017 ( Processus Ultimes d'épitaxie de Semiconducteurs 2017), Oct 2017, Paris, France. 2017, 〈https://pulse2017.sciencesconf.org/〉. 〈hal-01610933〉

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