Jonctions tunnel AlGaAsSb/AlGaInAs accordées et relaxées sur substrat GaAs pour les applications photovoltaïques
Abstract
Les Jonctions Tunnel (JT) sont des composants très importants pour les cellules solaires multi-jonction, puisqu'elles assurent la connexion électrique en série entre les différentes sous-cellules. Récemment, il a été fabriqué par EPVOM des JTs AlGaAs:C/GaAs:Te et AlGaAs:C/GaInP:Te atteignant des densités de courant pic J pic records de 10 kA/cm² sur substrat GaAs [1], en remplaçant le dopant N usuel Si par du Te et permettant ainsi d'obtenir les forts niveaux de dopages nécessaires pour augmenter la probabilité d'effet tunnel dans le composant. Nous avons travaillé sur une autre approche pour obtenir des JT de "hautes" performances, et ne nécessitant pas des dopages aussi forts : il s'agit de profiter des offsets de bandes de l'hétérojonction AlGaAsSb/AlGaInAs de type II pour augmenter la probabilité d'effet tunnel.
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