Etude des défauts induits par recuit laser excimer sur silicium

Le recuit par laser (LTA) est une technique bien adaptée pour la réalisation de jonctions ultra minces et ultra dopées. En effet, ce type de recuit est très prometteur car il permet une très forte activation des dopants de manière localisée (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

JNRDM_Etude_des_defauts_induits_par_recuit_laser_excimer_sur_silicium.pdf (366.81 Ko)

Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://laas.hal.science/hal-01690886

Soumis le : mardi 23 janvier 2018-15:06:16

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

Dates et versions

hal-01690886 , version 1 (23-01-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01690886 , version 1

Citer

Richard Monflier, Amin Benyoucef, Mégane Turpin, Fuccio Cristiano, Eléna Bedel-Pereira. Etude des défauts induits par recuit laser excimer sur silicium. 20èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2017), Nov 2017, Strasbourg, France. 1p. ⟨hal-01690886⟩

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