High performance CMOS FDSOI devices activated at low temperature
L. Pasini
(1, 2, 3)
,
P. Batude
(1)
,
J. Lacord
(1)
,
M. Cassé
(1)
,
B. Mathieu
(1)
,
B. Sklenard
(1)
,
F. Piegas Luce
(1)
,
J. Micout
(1, 3)
,
A. Payet
(1)
,
F. Mazen
(1)
,
P. Besson
(1)
,
E. Ghegin
(1, 2)
,
J. Borrel
(1, 2)
,
Richard Daubriac
(4)
,
L. Hutin
(1)
,
D. Blachier
(1)
,
D. Barge
(2)
,
S. Chhun
(2)
,
V. Mazzocchi
(1)
,
A. Cros
(2)
,
J-P. Barnes
(1)
,
Z. Saghi
(1)
,
V. Delaye
(1)
,
N. Rambal
(1)
,
V. Lapras
(1)
,
J. Mazurier
(1)
,
O. Weber
(1)
,
F. Andrieu
(1)
,
L. Brunet
(1)
,
C. Fenouillet-Beranger
(1)
,
Q. Rafhay
(3)
,
G. Ghibaudo
(3)
,
Fuccio Cristiano
(4)
,
M. Haond
(2)
,
F. Boeuf
(2)
,
M. Vinet
(1)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
4 LAAS-MPN - Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
4 LAAS-MPN - Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique
M. Cassé
- Function : Author
- PersonId : 755505
- ORCID : 0000-0002-4934-2445
J. Borrel
- Function : Author
- PersonId : 783548
- ORCID : 0000-0003-0226-6622
L. Hutin
- Function : Author
- PersonId : 764495
- ORCID : 0000-0001-6429-3867
L. Brunet
- Function : Author
- PersonId : 180693
- IdHAL : laurence-brunet
- IdRef : 169078434
Q. Rafhay
- Function : Author
- PersonId : 170409
- IdHAL : quentin-rafhay
- ORCID : 0000-0003-2797-0106
- IdRef : 140482199
G. Ghibaudo
- Function : Author
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
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- IdRef : 069253099
Fuccio Cristiano
- Function : Author
- PersonId : 3566
- IdHAL : fuccio-cristiano
- ORCID : 0000-0003-1839-9972
- IdRef : 078025923
M. Vinet
- Function : Author
- PersonId : 756257
- ORCID : 0000-0001-6757-295X
Abstract
3D sequential integration requires top FETs processed with a low thermal budget (500-600°C). In this work, high performance low temperature FDSOI devices are obtained thanks to the adapted extension first architecture and the introduction of mobility boosters (pMOS: SiGe 27% channel / SiGe:B 35% RSD and nMOS: SiC:P RSD). This first demonstration of n and p extension first FDSOI devices shows that low temperature activated device can match the performance of a device with state-of-the-art high temperature process (above 1000°C).