Réalisation de guides d’onde enterrés avec un procédé quasi-planaire
Résumé
Ce papier présente la première démonstration d'un procédé quasi-planaire de fabrication de structures de guides d'onde optiques enterrés dans des semiconducteurs III-V. L'approche repose sur l'utilisation d'une oxydation latérale de large étendue à partir d'une distribution discrète de trous et correspond à une évolution avantageuse du procédé conventionnel mettant en jeu une oxydation à partir de mesas dont les flancs sont continus.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...