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Conference papers

Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Résumé : Un nouveau concept d'interrupteur de puissance HEMT en GaN présentant la fonctionnalité « normally-off » est expérimentalement validé. L'introduction d'une couche P-GaN suffisamment dopée (autour de 2 x 10 18 cm-3) au sein de la couche buffer GaN NID, en-dessous de l'électrode de grille et sous l'interface AlGaN / GaN, permet d'obtenir une tension de seuil positive de 0,8 V, soit un décalage significatif supérieur à 6 V par rapport à celle d'un HEMT conventionnel « normally-on ».
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https://hal.laas.fr/hal-01848210
Contributor : Frédéric Morancho <>
Submitted on : Tuesday, July 24, 2018 - 2:08:57 PM
Last modification on : Monday, October 12, 2020 - 10:27:34 AM
Long-term archiving on: : Thursday, October 25, 2018 - 3:31:08 PM

File

SGE_2018_Chapelle_et_al.pdf
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Identifiers

  • HAL Id : hal-01848210, version 1

Citation

Audrey Chapelle, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Yohann Spiegel, Leïla Benmosfeta, et al.. Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée. Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5. ⟨hal-01848210⟩

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