K. Alberi, O. D. Dubon, W. Walukiewicz, K. M. Yu, K. Bertulis et al., Appl. Phys. Lett, vol.91, p.51909, 2007.

S. R. Jin and S. J. Sweeney, J. Appl. Phys, vol.114, p.21310, 2013.

I. P. Marko, J. S. Sweeney, and I. J. Select, Topics Quantum Elect, vol.23, p.1501512, 2017.

S. Mazzucato, T. T. Zhang, H. Carrère, D. Lagarde, P. Boonpeng et al., Applied Phys. Lett, vol.102, p.252107, 2013.

C. A. Broderick, S. Mazzucato, H. Carrère, T. Amand, H. Makhloufi et al., Phys. Rev. B, vol.90, p.195301, 2014.

M. A. Balanta, J. Kopaczek, V. Orsi-gordo, B. H. Santos, A. D. Rodrigues et al.,

F. Richards, J. P. Bastiman, R. David, Y. Kudrawiec, . Galvão et al., J. Phys. D: Appl. Phys, vol.49, p.355104, 2016.

H. Tong, X. Marie, and M. W. Wu, J. Appl. Phys, vol.112, p.63701, 2012.

B. Pursley, M. Luengo-kovac, G. Vardar, R. S. Goldman, and V. Sih, Appl. Phys. Lett, vol.102, p.22420, 2013.

M. I. and V. I. Perel, Sov. Phys. Solid State, vol.13, 1971.

M. I. , V. Yu, and . Kachorovskii, Sov. Phys. Semiconductors, vol.20, 1986.

G. Dresselhaus, Phys. Rev, vol.100, p.580, 1955.

A. Tackeuchi, O. Wada, and Y. , Nishikawa Appl. Phys. Lett, vol.70, p.1133, 1997.

M. W. Wu, J. H. Jiang, and M. Q. Weng, Phys. Rep, vol.493, p.61, 2010.

A. Malinowski, R. S. Britton, T. Grevatt, R. T. Harley, D. A. Ritchie et al., Phys. Rev. B, vol.62, p.13034, 2000.

A. Balocchi, Q. H. Duong, P. Renucci, B. L. Liu, C. Fontaine et al., Phys. Rev. Lett, vol.107, p.136604, 2011.

G. L. Bir, A. G. Aronov, and G. E. Pikus, Spin relaxation of electrons due to scattering by holes, Sov. Phys. JETP, vol.42, p.705, 1975.

R. J. Elliott, Theory of the e ffect of spin-orbit coupling on magnetic resonance in some semiconductors, Phys. Rev, vol.100, p.266, 1954.

K. L. Litvinenko, M. A. Leontiadou, J. Li, S. K. Clowes, M. T. Emeny et al., Appl. Phys. Lett, vol.96, p.111107, 2010.

J. H. Jiang and M. W. Wu, Phys. Rev. B, vol.79, p.125206, 2009.

J. H. Jiang and M. W. Wu, Phys. Rev. B, vol.83, p.239906, 2011.

H. Makhloufi, P. Boonpeng, S. Mazzucato, J. Nicolai, A. Arnoult et al., Nanoscale Research Lett, vol.9, p.123, 2014.

L. J. Sham, I. Phys.: Condens. Matter, vol.5, p.51, 1993.

B. Baylac, T. Amand, X. Marie, B. Dareys, M. Brousseau et al., Sol. Stat. Comm, vol.93, p.57, 1995.

D. J. Hilton and C. L. Tang, Phys.Rev.Lett, vol.89, p.146601, 2002.

F. Meier and B. P. Zakharchenya, Optical Orientation, 1984.

Z. Batool, K. Hild, T. J. Hosea, X. Lu, T. Tiedje et al., J. Appl. Phys, vol.111, p.113108, 2012.

S. J. Sweeney and S. R. Jin, J. Appl. Phys, vol.113, p.43110, 2013.

S. Mazzucato, H. Lehec, H. Carrère, H. Makhloufi, A. Arnoult et al., Nanoscale Res. Lett, vol.9, p.19, 2014.

S. Mazzucato, P. Boonpeng, H. Carrère, D. Lagarde, A. Arnoult et al., Semicond. Sci. Technol, vol.28, p.22001, 2013.

D. G. Cooke, F. A. Hegmann, E. C. Young, and T. Tiedje, Appl. Phys. Lett, vol.89, p.122103, 2006.

R. N. Kini, L. Bhusal, A. J. Ptak, R. France, and A. Mascarenhas, J. Appl. Phys, vol.106, p.43705, 2009.

R. N. Kini and A. Mascarenhas, Effect of Bismuth Alloying on the Transport Properties of the Dilute Bismide Alloy, GaAs 1 ? x Bi x, Bismuth-Containing Compounds, vol.186, 2013.

V. Pacebutas, K. Bertulis, L. Dapkus, G. Aleksejenko, A. Krotkus et al., Semicond. Sci. Technol, vol.22, p.819, 2007.

A. Urbanowicz, V. Pa?ebutas, A. Gei?utis, S. Stanionyt?, and A. Krotkus, AIP Advances, vol.6, p.25218, 2016.

B. Fluegel, R. N. Kini, A. J. Ptak, D. Beaton, K. Alberi et al., Appl. Phys. Lett, vol.99, p.162108, 2011.

G. Pettinari, A. Polimeni, M. Capizzi, J. H. Blokland, P. C. Christianen et al., Appl. Phys. Lett, vol.92, p.262105, 2008.

G. Pettinari, O. Drachenko, R. B. Lewis, and T. Tiedje, Phys. Rev. B, vol.94, p.235204, 2016.

M. Usman, C. A. Broderick, A. Lindsay, and E. P. O'reilly, Phys. Rev. B, vol.84, p.245202, 2011.

R. Kudrawiec, J. Kopaczek, M. P. Polak, P. Scharoch, M. Gladysiewicz et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.233508, 2014.

J. Kopaczek, W. M. Linhart, M. Baranowski, R. D. Richards, F. Bastiman et al., Semicond. Sci. Technol, vol.30, p.94005, 2015.

P. Ludewig, N. Knaub, N. Hossain, S. Reinhard, L. Natterman et al., Appl. Phys. Lett, vol.102, p.242115, 2013.

S. Nagahara, M. Arita, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett, vol.88, p.83101, 2006.

J. Puustinen, M. Wu, E. Luna, A. Schramm, P. Laukkanen et al., J. Appl. Phys, vol.111, p.243504, 2013.

M. Wu, E. Luna, J. Puustinen, M. Guina, and A. Trampert, Nanotechnology, vol.25, p.205605, 2014.

D. A. Beaton, M. Steger, and A. Mascarenhas, J. Cryst. Growth, vol.484, 2018.

C. R. Tait, L. Yan, and J. M. Millunchick, J. Cryst. Growth, vol.493, p.20, 2018.

F. T. Vasko and F. Lett, , vol.30, p.541, 1979.

Y. A. Bychkov and E. Rashba, JETP. Lett, vol.39, 1984.

Y. A. Bychkov and E. Rashba, J. Phys. C: Solid State Phys, vol.17, p.6039, 1984.

Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachi, F. Matsukura, and H. Ohno, Phys. Rev. Lett, vol.83, p.4196, 1999.

O. Z. Karimov, G. H. John, R. T. Harley, W. H. Lau, M. E. Flatte et al., Phys. Rev. Lett, vol.91, p.246601, 2003.

S. Döhrmann, D. Hägele, J. Rudolph, M. Bichler, D. Schuh et al., Phys. Rev. Lett, vol.93, p.147405, 2004.

G. Wang, A. Balocchi, A. V. Poshakinskiy, C. R. Zhu, S. A. Tarasenko et al., New Journal of Physics, vol.16, p.45008, 2014.

A. Balocchi, T. Amand, G. Wang, B. L. Liu, P. Renucci et al., New J. Phys, vol.15, p.95016, 2013.

G. Wang, B. L. Liu, A. Balocchi, P. Renucci, C. R. Zhu et al., Nat. Comm, 2013.

S. Azaizia, A. Balocchi, H. Carrère, P. Renucci, T. Amand et al., Appl. Phys. Lett, vol.108, p.82103, 2016.

R. A. Simmons, S. R. Jin, S. J. Sweeney, and S. K. Clowes, Appl. Phys. Lett, vol.107, p.142401, 2015.