Carrier localization and electron spin relaxation dynamics in GaAsBi - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Carrier localization and electron spin relaxation dynamics in GaAsBi

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01947332 , version 1 (06-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01947332 , version 1

Citer

Simone Mazzucato, Henri Lehec, Hélène Carrère, Tiantian Zhang, Delphine Lagarde, et al.. Carrier localization and electron spin relaxation dynamics in GaAsBi. 5th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Prof. Eoin O' Reilly, Jul 2014, Cork, Ireland. ⟨hal-01947332⟩
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