GaN Technologies: From The Improvement Of Device Reliability To The Design Of Robust High Frequency Circuits - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

GaN Technologies: From The Improvement Of Device Reliability To The Design Of Robust High Frequency Circuits

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique Electromagnétisme
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://laas.hal.science/hal-02088233

Soumis le : mardi 2 avril 2019-16:36:17

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21

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Dates et versions

hal-02088233 , version 1 (02-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02088233 , version 1

Citer

Jean-Guy Tartarin. GaN Technologies: From The Improvement Of Device Reliability To The Design Of Robust High Frequency Circuits. World Congress of Advanced Materials (WCAM 2016 5th BIT congress), Jun 2016, Chongqing, China. ⟨hal-02088233⟩

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