T. Thomas, A. Mellor, N. P. Hylton, M. Führer, D. Alonso-Álvarez et al., N. J. Ekins

J. P. Daukes, S. David, and . Sweeney, Semiconductor Science and Technology, vol.30, pp.1-6, 2015.

C. A. Broderick, S. Mazzucato, H. Carrère, T. Amand, H. Makhloufi et al.,

O. Fontaine, A. Donmez, M. Erol, E. P. Usman, X. O'reilly et al., Physical Review B, vol.90, p.195301, 2014.

B. Fluegel, S. Francoeur, A. Mascarenhas, S. Tixier, E. C. Young et al., Physical Review Letters, vol.97, p.67205, 2006.

M. Yoshimoto, S. Murata, A. Chayahara, Y. Horino, J. Saraie et al., Japanese Journal of Applied Physics, vol.42, p.1235, 2003.

R. B. Lewis, M. Masnadi-shirazi, and T. Tiedje, Appl. Phys. Lett, vol.101, p.82112, 2012.

K. Oe and H. Okamoto, Japanese Journal of Applied Physics, vol.37, p.1283, 1998.

P. Ludewig, Z. L. Bushell, L. Nattermann, N. Knaub, W. Stolz et al., Journal of Crystal Growth, vol.396, p.95, 2014.

T. B. Rockett, R. D. Richards, Y. Gu, F. Harun, Y. Liu et al., Journal of Crystal Growth, vol.477, p.139, 2017.

D. F. Reyes, F. Bastiman, C. J. Hunter, D. L. Sales, A. M. Sanchez et al.,

. González, Nanoscale Research Letters, vol.9, p.23, 2014.

M. Wu, E. Luna, J. Puustinen, M. Guina, and A. Trampert, Nanotechnology, vol.25, p.205605, 2014.

R. Butkut?, K. Sta?ys, V. Pa?ebutas, B. ?echavi?ius, R. Kondrotas et al., Optical and Quantum Electronics, vol.47, p.873, 2015.

A. Arnoult and J. Colin, Patent FR1754616, 2017.

S. M. Newstead, A. A. Kubiak, and E. H. Parker, Journal of Crystal Growth, vol.81, p.49, 1987.

M. R. Fahy, X. M. Zhang, E. S. Tok, J. H. Neave, P. Vaccaro et al.,

K. Watanabe, B. A. Sato, and . Joyce, Thin Solid Films, vol.306, p.192, 1997.

H. Makhloufi, P. Boonpeng, S. Mazzucato, J. Nicolai, A. Arnoult et al.,

C. Lacoste, A. Gatel, H. Ponchet, X. Carrere, C. Marie et al., Nanoscale Research Letters, vol.9, p.123, 2014.

G. G. Stoney, Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, vol.82, p.172, 1909.

J. C. Brice and . Inspec, EMIS Datareviews Series, vol.2, pp.0-85296, 1986.

J. J. Colin, G. Abadias, A. Michel, and C. Jaouen, Acta Materialia, vol.126, p.481, 2017.

S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas et al.,

. Schiettekatte, Appl. Phys. Lett, vol.82, issue.14, p.2245, 2003.

F. Brunner, A. Knauer, T. Schenk, M. Weyers, and J. Zettler, Journal of Crystal Growth, vol.310, p.2432, 2008.

R. France and A. J. Ptak, J. Vac. Sci. Technol. B, vol.29, issue.3, pp.3-115, 2011.

R. France, C. Jiang, and A. J. Ptak, Applied Physics letters, vol.98, p.101908, 2011.

X. Lu, B. A. Beaton, R. B. Lewis, T. Tiedje, and M. B. Whitwick, Applied Physics letters, vol.92, p.192110, 2008.

J. Gerard and G. L. Roux, Applied Physics Letters, vol.62, p.3452, 1993.

R. Kaspi and K. Evans, Journal of Crystal Growth, vol.175, p.838, 1997.

A. Duzik, J. C. Thomas, A. Van-der-ven, and J. M. Millunchick, Physical Review B, vol.87, p.35313, 2013.

P. Laukkanen, M. P. Punkkinen, H. Komsa, M. Ahola-tuomi, K. Kokko et al.,

J. Kuzmin, J. Adell, R. E. Sadowski, M. Perälä, T. T. Ropo et al., Physical Review Letters, vol.100, p.86101, 2008.

E. C. Young, S. Tixier, and T. Tiedje, Journal of Crystal Growth, vol.279, p.316, 2005.

R. D. Richards, F. Bastiman, C. J. Hunter, D. F. Mendes, A. R. Mohmad et al., Journal of Crystal Growth, vol.390, p.120, 2014.

D. F. Reyes, F. Bastiman, C. J. Hunter, D. L. Sales, A. M. Sanchez et al., Nanoscale Research Letters, vol.9, p.23, 2014.

A. R. Mohmad, F. Bastiman, C. J. Hunter, F. Harun, D. F. Reyes et al.,

R. D. Gonzalez, J. P. Richards, B. Y. David, and . Majlis, Semicond. Sci. Technol, vol.30, p.94018, 2015.