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Conference papers

Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

Résumé : Les travaux portent sur la réalisation technologique d’un HEMT AlGaN/GaN normally-off avec une grille à barrière P-GaN. Des résultats de simulation ont montré que la tension de seuil de cette structure peut atteindre une valeur supérieure à 2 V et qu’elle est liée à la profondeur de gravure de la couche d’AlGaN. Nous avons développé une recette de gravure sèche avec une faible vitesse permettant un contrôle de gravure d’ordre nanométrique avec une rugosité de surface satisfaisante.
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02918372
Contributor : Josiane Tasselli <>
Submitted on : Thursday, August 20, 2020 - 1:54:18 PM
Last modification on : Monday, October 12, 2020 - 10:27:34 AM

File

2020 Abstract_SGE_Chaymaa HALO...
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Identifiers

  • HAL Id : hal-02918372, version 1

Citation

Chaymaa Haloui, Gaëtan Toulon, Josiane Tasselli, Yvon Cordier, Éric Frayssinet, et al.. Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Nov 2020, Nantes, France. ⟨hal-02918372⟩

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