G. Toulon and C. Mattew, « Transistor HEMT de type normalement ouvert présentant une tension de seuil elevée et une résistance de conduction réduite, vol.3, pp.47-609

D. Buttari, « Systematic characterization of Cl 2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs, IEEE Electron Device Lett, vol.23, issue.2, pp.76-78, 2002.

Y. Han, « Nonselective and smooth etching of GaN/AlGaN heterostructures by Cl2/Ar/BCl3 inductively coupled plasmas, J. Vac. Sci. Technol. Vac. Surf. Films, vol.22, issue.2, pp.407-412, 2004.