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Conference papers

Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Résumé : Des contacts ohmiques de très bonne qualité électriques et des capacités MIS fonctionnelles sur diamant de type P sont des briques technologiques fondamentales pour envisager la fabrication de composants MOS diamant. La technique de caractérisation des contacts ohmiques par TLM circulaire a été validée et des diodes MIS ont donc été fabriquées. Même si des optimisations sont encore nécessaires, les résultats présentés permettent d'envisager la fabrication d'un démonstrateur de type diode P-TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) en diamant.
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https://hal.laas.fr/hal-02918490
Contributor : Lya Fontaine <>
Submitted on : Thursday, August 20, 2020 - 3:41:44 PM
Last modification on : Friday, September 4, 2020 - 11:32:18 AM

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Identifiers

  • HAL Id : hal-02918490, version 1

Citation

Lya Fontaine, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Alain Cazarré, et al.. Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P. Symposium de Génie Electrique (SGE), Nov 2020, Nantes, France. ⟨hal-02918490⟩

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