Conception de diodes TMBS haute tension (6kV) en diamant
Résumé
Cet article présente la première étape de conception de diode TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) 6 kV en diamant. Le choix du diélectrique de la TMBS se révèle être crucial pour obtenir le claquage dans le diamant et atteindre les performances électriques visées. Les résultats des simulations TCAD 2D montrent l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur la tenue en tension de la diode TMBS. L'analyse de ces résultats révèle une profondeur de gravure de la tranchée 'd' optimale pour obtenir la tension de claquage la plus élevée et profiter de l'auto-blindage qui est une particularité de la TMBS. Le dopage de la couche P a augmenté de à) pour la même tenue en tension de 5400 V à 300 K.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)