Cet article présente une nouvelle méthode de conception d'amplificateur faible bruit (LNA) robuste qui vise à conjuguer les avantages naturels des transistors développés en technologie nitrure de gallium (GaN) en termes de linéarité, à leurs performances faible bruit. L'architecture de LNA proposée permet de basculer d'un mode faible bruit nominal à un mode à forte linéarité lorsqu'il est soumis à une agression électromagnétique. Cette agilité s'opère par un changement du point de polarisation du transistor. Cette étude permet de comparer les simulations électrique et en bruit de notre approche avec celles des topologies conventionnelles de LNA, sur des versions monoétage en bande X. Un facteur de bruit inférieur à 0.8 dB peut ainsi être obtenu avec un point de compression de 21dBm à 10 GHz.