Impact of 1 MeV proton irradiation on InGaAsN solar cells - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2022

Impact of 1 MeV proton irradiation on InGaAsN solar cells

Résumé

The impact of 1 MeV proton irradiation on 1.12 eV bandgap InGaAsN solar cells was studied through device and material characterizations. After a 10 13 p + cm −2 proton fluence, the photocurrent decreases by 28%, due to the formation of defects in both the GaAs emitter and the InGaAsN absorber. Furthermore, photoluminescence measurements suggest that the proton radiation hardness of InGaAsN increases with the nitrogen.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03637223 , version 1 (19-04-2022)

Identifiants

Citer

Maxime Levillayer, Sophie Duzellier, Inès Massiot, Alexandre Arnoult, S. Parola, et al.. Impact of 1 MeV proton irradiation on InGaAsN solar cells. Semiconductor Science and Technology, 2022, 37 (5), pp.05LT02. ⟨10.1088/1361-6641/ac637d⟩. ⟨hal-03637223⟩
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