Fabrication de réseaux de nanofils verticaux de GaAs sur substrat en Si(100) par une approche descendante

Résumé : Les nanofils (NFs) III-V suscitent un intérêt particulier de par leur fort potentiel dans des domaines variés tels que la nanoélectronique, la nanophotonique ou les capteurs biologiques. Afin de favoriser son intégration grande échelle, de nombreux travaux ont démontré des synthèses de nanofils III-V sur silicium par croissance catalytique de type Vapeur Liquide Solide (VLS). Néanmoins ces approches sont toujours confrontées à des problèmes de reproductibilités (rendement de fils dans la même direction verticale, dispersion de diamètres..) et de miniaturisations (diamètre de NFs et espacement inter fils). De plus, elles utilisent des substrats de silicium à direction cristalline particulière, Si(111). Dans ce papier, nous présenterons une approche alternative, utilisant un procédé « top-down » pour fabriquer des réseaux de nanofils verticaux en GaAs sur un substrat Si (100).
Type de document :
Communication dans un congrès
GDR Nanofils 2014, Oct 2014, Toulouse, France. 488, pp.189 - 192, 2014
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Contributeur : Aurélie Lecestre <>
Soumis le : vendredi 16 décembre 2016 - 15:39:51
Dernière modification le : vendredi 15 juin 2018 - 01:08:50

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  • HAL Id : hal-01415368, version 1

Citation

Aurélie Lecestre, Pascal Dubreuil, Youssouf Guerfi, Franck Carcenac, Romain Cipro, et al.. Fabrication de réseaux de nanofils verticaux de GaAs sur substrat en Si(100) par une approche descendante. GDR Nanofils 2014, Oct 2014, Toulouse, France. 488, pp.189 - 192, 2014. 〈hal-01415368〉

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