Diamond Schottky diodes operating at 473 K

Abstract : In this paper, we present current-voltage characteristics of vertical and pseudo-vertical Diamond Schottky diodes operating up to 473 K. The functionality rate is greater than 75% for each samples. For vertical diodes, current density at 473 K reaches 488 A/cm², while it is greater than 1000 A/cm² for pseudo-vertical diodes. Under reverse bias, the leakage current is less than 10−7 A/cm² at 50 V for all functional diodes. However, the high barrier height and high non-ideality factor observed are probably caused by high charges at the Diamond/Schottky contact interface. This article emphasizes the high reproducibility of the characteristics and the functionality rate at 473 K.
Type de document :
Article dans une revue
EPE Journal, Taylor & Francis, 2017, 27, pp.118-124. 〈10.1080/09398368.2017.1388625〉
Liste complète des métadonnées

Littérature citée [22 références]  Voir  Masquer  Télécharger

https://hal.laas.fr/hal-01618095
Contributeur : Richard Monflier <>
Soumis le : mardi 17 octobre 2017 - 14:27:20
Dernière modification le : mercredi 28 février 2018 - 10:23:17
Document(s) archivé(s) le : jeudi 18 janvier 2018 - 14:38:59

Fichier

Diamond schottky diodes operat...
Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Identifiants

Citation

Richard Monflier, Karine Isoird, Alain Cazarré, Josiane Tasselli, Alexandra Servel, et al.. Diamond Schottky diodes operating at 473 K. EPE Journal, Taylor & Francis, 2017, 27, pp.118-124. 〈10.1080/09398368.2017.1388625〉. 〈hal-01618095〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

116

Téléchargements de fichiers

1