Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Abstract Chaymaa HALOUI LAAS 2019.pdf (764.9 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://laas.hal.science/hal-02278808

Soumis le : mercredi 4 septembre 2019-16:11:07

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:14:12

Archivage à long terme le : jeudi 6 février 2020-03:41:07

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Dates et versions

hal-02278808 , version 1 (04-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02278808 , version 1

Citer

Chaymaa Haloui, Josiane Tasselli, Karine Isoird, David Trémouilles, Patrick Austin, et al.. Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN. Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France. ⟨hal-02278808⟩

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