Protection périphérique pour composants de puissance en diamant

Résumé : Dans cet article, la première étape de conception d'une structure de protection périphérique applicable aux composants unipolaires en diamant est présentée. Au travers de la mise en place d'une plateforme de simulation de composants diamant au LAAS et en collaboration avec le laboratoire AMPERE, une étude de protections périphériques par matériau semirésistif a été menée. Sont ainsi montrés les résultats de simulation de diodes Schottky de type P protégées par gravure et diverses couches de matériau tels différents diélectriques ou des matériaux semi-résistifs. L'analyse des simulations réalisées sur des structures quasi-verticales protégées par une plaque de champ sur matériau semi-résistif déposé sur un diélectrique démontre l'efficacité d'une telle protection.
Type de document :
Communication dans un congrès
Électronique de Puissance du Futur, 13ème édition (EPF 2010), Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p., 2010
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Contributeur : Publications Ampère <>
Soumis le : mardi 31 juillet 2018 - 17:01:14
Dernière modification le : jeudi 22 novembre 2018 - 17:16:01
Document(s) archivé(s) le : jeudi 1 novembre 2018 - 13:38:30

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Citation

Fabien Thion, Karine Isoird, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli. Protection périphérique pour composants de puissance en diamant. Électronique de Puissance du Futur, 13ème édition (EPF 2010), Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p., 2010. 〈hal-00618708〉

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