Advancements in HZO Layer Engineering for Ultimate 3D Vertical Transistors : Towards a Logic-In-Memory Application - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Advancements in HZO Layer Engineering for Ultimate 3D Vertical Transistors : Towards a Logic-In-Memory Application

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Konstantinos Moustakas  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04439483

Soumis le : vendredi 16 février 2024-17:08:07

Dernière modification le : mercredi 10 avril 2024-14:55:07

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Dates et versions

hal-04439483 , version 1 (16-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04439483 , version 1

Citer

Konstantinos Moustakas, Bruno Neckel, Aurélie Lecestre, Fabrice Mathieu, Thomas Mikolajick, et al.. Advancements in HZO Layer Engineering for Ultimate 3D Vertical Transistors : Towards a Logic-In-Memory Application. European Materials Research Society (EMRS ) fall meeting 2023, Sep 2023, Warsaw, Poland. ⟨hal-04439483⟩

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